型号:SPB80N03S2L-05 | 类别:FET - 单 | 制造商:Infineon Technologies |
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
系列 | OptiMOS™ |
制造商 | Infineon Technologies |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 80A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 4.9 毫欧 @ 55A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2V @ 110µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 89.7nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 3320pF @ 25V |
功率_最大 | 167W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装 | P-TO263-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
现代芯城(深圳)科技有限公司 | 董0755-82542579 |
深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
深圳市科格尔电子有限公司 | 钟小姐086-0755-82798529 |
深圳市旺财半导体有限公司 | 李先生86-83209217 |
北京首天伟业科技有限公司 | 刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
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